型号:

BUK6E4R0-75C,127

RoHS:
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH TRENCH I2PACK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BUK6E4R0-75C,127 PDF
标准包装 50
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.2 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 234nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 15450pF @ 25V
功率 - 最大 306W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 I2PAK
包装 管件
其它名称 568-7507-5
BUK6E4R0-75C,127-ND
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